RS7 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS7 Power MOSFETs are designed for high-efficiency performance in motor drives, switching applications, and DC/DC converters. Featuring low on-resistance, a robust high-power DFN5060T8LSHAAE package, and Pb-free plating, these ROHM Semiconductor RS7 MOSFETs comply with RoHS and are Halogen-free. Each unit undergoes 100% Rg and UIS testing to ensure superior reliability and performance.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A
Hoja de datos
2,330En existencias
Cinta cortada
$5.44
$2.84
$2.58
$2.30
Envase tipo carrete
$2.17
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 30 V 390 A 670 uOhms 20 V 2.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A
Hoja de datos
2,477En existencias
Cinta cortada
$4.96
$2.56
$2.33
$2.03
Envase tipo carrete
$1.91
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 2.6 mOhms 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A
Hoja de datos
1,644En existencias
Cinta cortada
$5.53
$3.68
$2.63
$2.35
$2.26
Envase tipo carrete
$2.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 230 A 2 mOhms 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH
Hoja de datos
2,331En existencias
Cinta cortada
$5.58
$2.91
$2.66
$2.38
$2.29
Envase tipo carrete
$2.24
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A
Hoja de datos
2,500En pedido
Cinta cortada
$5.50
$2.85
$2.60
$2.28
$2.21
Envase tipo carrete
$2.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 640 uOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A
Hoja de datos
2,430En pedido
Cinta cortada
$5.39
$3.14
$2.57
$2.25
$2.17
Envase tipo carrete
$2.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 445 A 650 uOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH
Hoja de datos
2,500En pedido
Cinta cortada
$5.60
$3.27
$2.67
$2.35
$2.26
Envase tipo carrete
$2.12
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH
Hoja de datos
4,900Se espera el 26/1/2027
Cinta cortada
$5.62
$3.28
$2.69
$2.36
$2.27
Envase tipo carrete
$2.13
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel