MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 130
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Hoja de datos
9,675En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
Hoja de datos
4,076En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
2,834En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
5,898En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
4,629En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Hoja de datos
3,740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
Hoja de datos
1,916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
2,804En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
Hoja de datos
829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
Hoja de datos
3,172En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Hoja de datos
1,457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
2,298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
Hoja de datos
567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
Hoja de datos
71En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
Hoja de datos
1,179En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Hoja de datos
900En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Hoja de datos
2,857En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Hoja de datos
Comentarios de Producto
1,294En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
174En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
342En existencias
2,500Se espera el 18/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
Hoja de datos
1,049En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
972En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
Comentarios de Producto
633En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3