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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
18,000Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 640 mA, 870 mA 400 mOhms, 700 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV, 1 V 736.6 pC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 530 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
43,895En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
5,975Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 33.7 nC - 55 C + 150 C 810 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 33.7 nC - 55 C + 150 C 810 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60
4,868Se espera el 21/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 23.6 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
4,926En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22.4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel