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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Hoja de datos
209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Hoja de datos
41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Hoja de datos
75Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Hoja de datos
19Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Hoja de datos
25Se espera el 2/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W