Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
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IPD50P03P4L11ATMA2

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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SMD/SMT

TO-252-3-11

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Reel, Cut Tape

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IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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- 16 V, 5 V

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Enhancement

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IPB120P04P404ATMA2
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120 A

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IPD50P04P413ATMA2
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IPD50P04P4L11ATMA2
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: 2,500

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TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

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IPD70P04P4L08ATMA2
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IPD80P03P4L07ATMA2
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IPD80P03P4L07ATMA2

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

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1.5 V

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IPD90P03P404ATMA2
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IPD90P03P404ATMA2

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Reel, Cut Tape

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IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.66
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IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

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$2.66

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$0.907

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

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3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.71
5,904En existencias
2,500Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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5,904En existencias

2,500Se espera el 31/8/2026

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$2.71

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$1.04

$0.998

Envase tipo carrete

$0.944

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.39
1,645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,645En existencias

Cinta cortada

$3.39

$1.70

$1.53

$1.24

Envase tipo carrete

$1.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.00
2,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2,594En existencias

Cinta cortada

$2.00

$0.958

$0.856

$0.678

Envase tipo carrete

$0.558

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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