Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 16,191En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 70 A 9.5 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 71 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,860En existencias
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Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 13 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,947En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 1,218En existencias
2,000Se espera el 3/9/2026
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,078En existencias
2,000Se espera el 18/5/2026
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 1,851En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,639En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 11,151En existencias
12,500Se espera el 28/1/2027
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: 2,500

Si SMD/SMT TC252-3-313 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 12.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,326En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 14,243En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 8.7 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,301En existencias
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Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 6,552En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.1 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,530En existencias
5,000Se espera el 1/7/2026
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 135 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 1,749En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape