Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4-C2
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4
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551-CA3509M4
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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