SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.72 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SGT65R65AL

Fabricante N.º:

SGT65R65AL

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Qg - Carga de puerta:	5.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	305 W
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	SGT
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-Si
Tipo de transistor:	E-Mode
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso de la unidad:	76 mg