GaN FETs – Mouser República Dominicana

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

IGC025S08S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.60
9,101En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC025S08S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC025S08S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

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Hoja de datos

9,101En existencias

Cinta cortada

$4.60

$2.91

$2.14

$1.83

$1.77

Envase tipo carrete

$1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

80 V

86 A

2.5 mOhms

6.5 V

2.9 V

12 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.55
9,960En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

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9,960En existencias

Cinta cortada

$4.55

$2.91

$2.14

$1.83

$1.77

Envase tipo carrete

$1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

IGB070S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $3.36
3,526En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB070S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB070S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

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3,526En existencias

Cinta cortada

$3.36

$2.13

$1.52

$1.24

Ver

Envase tipo carrete

$0.981

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

38 A

7 mOhms

6.5 V

2.9 V

6.1 nC

- 40 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

IGB110S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $2.24
2,724En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

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2,724En existencias

Cinta cortada

$2.24

$1.39

$0.99

$0.827

Envase tipo carrete

$0.651

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

23 A

11 mOhms

6.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

IGC019S06S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.60
3,024En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC019S06S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC019S06S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

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Hoja de datos

3,024En existencias

Cinta cortada

$4.60

$2.91

$2.14

$1.83

$1.71

Envase tipo carrete

$1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

60 V

99 A

1.9 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S101XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.60
3,677En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S101XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

3,677En existencias

Cinta cortada

$4.60

$2.97

$2.14

$1.83

$1.71

Envase tipo carrete

$1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-VSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

IGC037S12S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.55
3,270En existencias
10,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IGC037S12S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC037S12S1XTMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

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10,000En pedido

Cinta cortada

$4.55

$2.94

$2.14

$1.83

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Envase tipo carrete

$1.49

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: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

120 V

71 A

3.7 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGB110S101XTMA1
Infineon Technologies
1: $2.41
1,915En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S101XTMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

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1,915En existencias

Cinta cortada

$2.41

$1.49

$1.04

$0.839

Envase tipo carrete

$0.651

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-VSON-4

HEMT

1 Channel

100 V

23 A

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

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