Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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BSZ063N04LS6ATMA1
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40 A

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BSZ024N04LS6ATMA1
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BSZ024N04LS6ATMA1

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