Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
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ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
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ROHM Semiconductor IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
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ROHM Semiconductor IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench
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