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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 6.25 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

512-FDB0250N807L

Fabricante N.º:

FDB0250N807L

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Hoja de datos:

FDB0250N807L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.25	$6.25
	$4.28	$42.80
	$3.10	$310.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$3.10	$2,480.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	240 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	143 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	214 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	39 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	113 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	64 ns
Serie:	FDB0250N807L
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	79 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns
Peso de la unidad:	1.600 g

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Hoja de datos

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDB0250N807L N-Channel MOSFET

onsemi FDB0250N807L N-Channel MOSFET uses the advanced PowerTrench^® process to minimize the on-state resistance. This process maintains superior ruggedness and switching performance for industrial applications. Features include fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability. The FDB0250N807L MOSFET is used in the industrial motor drives, power supplies, battery-operated tools, load switches, UPS, and energy inverters.