Medium Power MOSFETs

MCC Medium Power MOSFETs feature advanced trench MOSFET technology and are housed in small packages to save on board space. The MOSFETs have an ultralow on-resistance with a low gate charge and meet UL 94V-0 flammability ratings. Halogen-free versions are available upon request by adding suffix "-HF".

Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20Vds 10Vgs 12A 650pF TrenchFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100Vds 20Vgs 15A 60A 34W Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 20Vds 10Vgs 1.25W 18A Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20Vds Enh FET 2W -5.4A 10Vgs -3.0A Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 900 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel