Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.21
6,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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$1.21

$0.748

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$0.389

$0.323

Envase tipo carrete

$0.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.28
14,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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14,785En existencias

Cinta cortada

$1.28

$0.807

$0.534

$0.43

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Envase tipo carrete

$0.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.38
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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990En existencias

Cinta cortada

$4.38

$2.91

$2.06

$1.95

$1.77

Envase tipo carrete

$1.77

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPG20N04S418AATMA1
Infineon Technologies
1: $1.45
2,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S418AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2,689En existencias

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$1.45

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$0.606

$0.479

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Envase tipo carrete

$0.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.56
13,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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13,772En existencias

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$1.56

$0.997

$0.684

$0.548

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Envase tipo carrete

$0.458

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.32
3,778En existencias
25,000Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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3,778En existencias

25,000Se espera el 9/7/2026

Cinta cortada

$2.32

$1.49

$1.02

$0.811

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Envase tipo carrete

$0.737

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1: $5.88
533En existencias
1,800Se espera el 12/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

533En existencias

1,800Se espera el 12/3/2026

Cinta cortada

$5.88

$4.10

$2.96

$2.93

$2.74

Envase tipo carrete

$2.74

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies
1: $2.42
7,617En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L030HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L030H

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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7,617En existencias

Cinta cortada

$2.42

$1.55

$1.06

$0.863

$0.82

Envase tipo carrete

$0.765

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

119 A

3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.76
7,392Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

7,392Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

$2.76

$1.79

$1.23

$1.01

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Envase tipo carrete

$0.937

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.84
5,504Se espera el 16/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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5,504Se espera el 16/4/2026

Cinta cortada

$5.84

$3.91

$2.81

$2.76

$2.62

Envase tipo carrete

$2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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