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BGSA12UGL8E6327XTSA1

Name: Infineon BGSA12UGL8E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGSA12UGL8E6327X
Price: 0.53 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BGSA12UGL8E6327X

Fabricante N.º:

BGSA12UGL8E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES

Hoja de datos:

BGSA12UGL8E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

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	$0.428	$10.70
	$0.391	$39.10
	$0.37	$92.50
	$0.349	$174.50
	$0.325	$325.00
	$0.287	$1,148.00
	$0.26	$2,080.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	$0.26	$3,900.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptores de RF
RoHS:
Configuración de interruptor:	SPDT
Frecuencia mínima:	400 MHz
Frecuencia máxima:	6 GHz
Pérdida por inserción:	1.9 dB
Aislamiento en modo apagado - típica:	7 dB
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tecnología:	Si
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	RF Switch ICs
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º:	BGSA 12UGL8 E6327 SP001709494
Peso de la unidad:	1.080 mg

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

BGSA12UGL8 SPDT Antenna Aperture Switch

Infineon Technologies BGSA12UGL8 SPDT Antenna Aperture Switch is optimized for low Coff and low RON, enabling applications up to 6.0GHz. This single supply chip integrates with a 2-bits control logic also features a low current standby mode. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels, and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. Due to its very high RF voltage ruggedness, it is suited for switching any reactive devices such as inductors and capacitors in RF matching circuits without significant losses in quality factors.

Antenna Centric Devices

Infineon Technologies Antenna Centric Devices significantly improve data rate for mobile cellular devices while minimizing power consumption. Modern 3G/4G smartphones need to cover a wide frequency range, while the multiband antennas need to be minimized in dimensions. Infineon antenna centric devices optimize antenna performance in the required frequency bands to improve reception of weak signals and radiate efficiency. This indirectly lowers current consumption from power amplifiers. Antenna-centric devices are designed to address various tuning concepts, supporting a large variation of antenna impedance with very low RON values and high voltage handling capabilities. Infineon antenna-centric devices are available with both GPIO (General Purpose Input/ Output) and the standardized MIPI RFFE (Mobile Industry Processor Interface for RF Front-End) interface.

Antenna Tuner RF Switch ICs

Infineon Technologies Antenna Tuner RF Switch ICs improve antenna radiation efficiency while promoting higher data rates, longer battery life, and improved signal quality. Antenna tuning can be performed in two ways: aperture tuning shifts the natural resonance of an antenna to the necessary operating frequency band, while impedance tuning optimizes signal transmission to the antenna by compensating frequency and environmental effects. The Infineon Technologies Antenna Tuner RF Switch ICs address antenna design challenges while enabling maximum power transfer, delivering the desired antenna efficiency.