N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Resultados: 72
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
Hoja de datos
11,451En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 mA 7.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 360 mW Depletion AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
160,688En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
968En existencias
1,000Se espera el 26/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,251En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,606En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
3,917En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
4,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1,844En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
3,435En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 34 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2,142En existencias
2,000Se espera el 11/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2
Hoja de datos
3,116En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 6.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
Hoja de datos
1,133En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
Hoja de datos
37,149En existencias
108,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 106 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
2,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,294En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
545En existencias
6,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 64 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 86 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
1,750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,225En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
Comentarios de Producto
260,182En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
10,190En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 140 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
Hoja de datos
446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
Hoja de datos
155En existencias
500Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 32 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
490En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
702En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel