FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3T 1,815En existencias
9,000Se espera el 3/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 1.8 A 250 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T 7,433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 80 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5 517En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 80 mOhms - 6 V, 6 V 950 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T 13,118En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 175 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4 1,202En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T 996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.7 A 840 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 700 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T 10,241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4 3,197En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T 6,769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 1.07 Ohms - 12 V, 12 V 950 mV 960 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4 1,743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 1.07 Ohms - 12 V, 12 V 950 mV 960 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T 7,627En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 825 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1.09 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T 2,540En existencias
3,000Se espera el 3/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5 367En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel