NSV40301MZ4T3G

onsemi
863-NSV40301MZ4T3G
NSV40301MZ4T3G

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
NPN
Single
5 A
40 V
40 V
6 V
2 W
215 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS40301MZ4
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Corriente continua del colector: 3 A
Máx. ganancia de CC hFE: 500
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 4000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Malasia
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NSV40301MZ4 Bipolar Power Transistor

onsemi NSV40301MZ4 Bipolar Power Transistor is a combination of low saturation voltage and high gain low VCE(sat) NPN transistor. This bipolar transistor features a 40VDC collector-emitter voltage, 1ADC base current, and -55°C to 150°C operating and storage Junction temperature range. The NSV40301MZ4 bipolar power transistor is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include voltage regulation, power management for portable devices, switching regulators, motor controls, and DC-DC converters.

En existencias: 1,365

Existencias:
1,365
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
8,000
Se espera el 6/4/2027
16,000
Se espera el 25/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
47
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
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$0.315 $315.00
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