SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Resultados: 127
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
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5,725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 250MOHM TO-220F
Hoja de datos
991En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET82MO
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450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
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903En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
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345En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220 PKG
Hoja de datos
786En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
Hoja de datos
1,228En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
Hoja de datos
438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19.3 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 282 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
Hoja de datos
896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220
Hoja de datos
607En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25.3 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
Hoja de datos
2,279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
Hoja de datos
885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
Hoja de datos
2,484En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM
Hoja de datos
352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
Hoja de datos
494En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
Hoja de datos
960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
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507En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 29MOHM TO-
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251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 201 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82M
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1,271En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220
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352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM T
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214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
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769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
Hoja de datos
569En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 165MOHM 19A
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414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220F
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736En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25.3 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube