SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 50MOHM TO-247-3 395En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 119 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement AEC-Q101 Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG 337En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 29MOHM TO-247 200En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 201 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4 371En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-247 1,263En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 450MOHM T0-220F 3,758En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19.3 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG 711En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 153 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm 856En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO 853En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM 2,269En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220 875En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F 660En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG 1,158En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET 125En existencias
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO 783En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 600MOHM DPAK 1,697En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220 710En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220 499En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247 680En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG 846En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 159 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 144 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm 1,071En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm 1,596En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263 796En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III 776En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88 2,729En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape