GaN FETs – Mouser República Dominicana

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Resultados: 12

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $12.38
4,262En existencias
1,800Se espera el 16/7/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R025D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R025D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

4,262En existencias

1,800Se espera el 16/7/2026

Cinta cortada

$12.38

$8.87

$7.10

$5.80

Envase tipo carrete

$5.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $3.90
4,514En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R140D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R140D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

4,514En existencias

Cinta cortada

$3.90

$2.56

$1.79

$1.50

$1.46

Envase tipo carrete

$1.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $2.64
4,860En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R200D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R200D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

4,860En existencias

Cinta cortada

$2.64

$1.64

$1.18

$0.986

Envase tipo carrete

$0.816

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $2.49
4,886En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R270D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R270D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

4,886En existencias

Cinta cortada

$2.49

$1.51

$1.07

$0.876

Envase tipo carrete

$0.681

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.67
1,338En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R045D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R045D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

1,338En existencias

Cinta cortada

$8.67

$5.56

$4.39

$4.21

$4.14

Envase tipo carrete

$3.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.54
521En existencias
1,800Se espera el 16/7/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R055D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R055D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

521En existencias

1,800Se espera el 16/7/2026

Cinta cortada

$6.54

$4.38

$3.43

$3.16

Ver

Envase tipo carrete

$2.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.33
1,621En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R110D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R110D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

1,621En existencias

Cinta cortada

$4.33

$2.79

$2.12

$1.87

Envase tipo carrete

$1.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $12.87
986En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R025D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R025D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

986En existencias

Cinta cortada

$12.87

$9.60

$7.53

$7.38

Envase tipo carrete

$6.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $10.93
486En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R035D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R035D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

486En existencias

Cinta cortada

$10.93

$7.61

$5.86

$4.79

Envase tipo carrete

$4.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $8.83
1,378En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R045D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R045D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

1,378En existencias

Cinta cortada

$8.83

$5.92

$4.43

$4.31

Envase tipo carrete

$3.81

$3.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $7.37
623En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R055D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R055D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

623En existencias

Cinta cortada

$7.37

$4.76

$3.62

$2.91

Envase tipo carrete

$2.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.62
1,788Se espera el 2/7/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R035D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R035D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

1,788Se espera el 2/7/2026

Cinta cortada

$10.62

$7.36

$5.64

$4.61

Envase tipo carrete

$4.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

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