Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2,363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel