TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Resultados: 168
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V 203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
104,907En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.9 A 26.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
20,825Se espera el 3/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A
29,963En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 195 A 1.7 mOhms - 20 V, 16 V 1 V 172.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
35,900Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 108 A 5.8 mOhms - 20 V, 16 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
6,695En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 90 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
27,077En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
54,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 10.8 A 132 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
2,992Se espera el 15/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A
75,000Se espera el 15/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 33 nC - 50 C + 150 C 27.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
9,000Se espera el 17/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-30 P-Channel 1 Channel 20 V 16.7 A 6 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 180 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
5,447Se espera el 3/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.9 mOhms - 20 V, 16 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
8,281En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
104,932Se espera el 10/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 Plazo de entrega 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 105 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 17 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
497Se espera el 18/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 300 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube