Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8457DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
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SI8457DB-T1-E1

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781-SI8457DB-T1-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

12 V

10.2 A

15 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

93 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8499DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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SI8499DB-T2-E1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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$0.296

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

20 V

16 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA433EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIA433EDJ-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

12 A

15 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SC70-6

SI1443EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI1443EDH-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SC70-6

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI2365EDS-T1-GE3

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78-SI2365EDS-T1-GE3

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.9 A

26.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7623DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7623DN-T1-GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.1 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8497DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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SI8497DB-T2-E1

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SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

30 V

13 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT

SI8851EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: $0.99
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SI8851EDB-T2-E1

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78-SI8851EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

MicroFoot-30

P-Channel

1 Channel

20 V

16.7 A

6 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA445EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.02
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N.º de artículo del Fabricante
SIA445EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA445EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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$0.248

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

12 A

16.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

SIR510DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: $2.98
943En existencias
12,000Se espera el 19/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR510DP-T1-RE3

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78-SIR510DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

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943En existencias

12,000Se espera el 19/2/2026

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$2.98

$1.93

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$0.941

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

126 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70060E-GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.81
1,085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70060E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70060E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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1,085En existencias

$2.81

$1.40

$1.26

$1.10

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

131 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7625DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.70
116En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI7625DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7625DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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116En existencias

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$1.70

$1.08

$0.717

$0.554

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$0.444

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

SUD50P06-15-GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.37
314En existencias
16,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUD50P06-15-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD50P06-15-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

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$3.37

$2.20

$1.54

$1.32

$1.29

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$1.07

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A

SIR500DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: $2.41
21,000Se espera el 26/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
SIR500DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR500DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A

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21,000Se espera el 26/7/2027

Cinta cortada

$2.41

$1.54

$1.05

$0.874

$0.81

Envase tipo carrete

$0.711

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

350.8 A

470 uOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

104.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS443DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.14
23,260Se espera el 21/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIS443DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS443DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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23,260Se espera el 21/5/2026

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$2.14

$1.37

$0.927

$0.738

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$0.601

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

40 V

35 A

11.7 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 P-CH 30V 29.4A

SISS05DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.80
35,982En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SISS05DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS05DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 P-CH 30V 29.4A

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35,982En pedido

Cinta cortada

$1.80

$1.15

$0.768

$0.652

$0.571

Envase tipo carrete

$0.525

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

108 A

5.8 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7145DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.02
41,776Se espera el 8/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7145DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7145DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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41,776Se espera el 8/6/2026

Cinta cortada

$3.02

$1.96

$1.36

$1.14

Envase tipo carrete

$0.925

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

275 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V

SUP90P06-09L-E3
Vishay Semiconductors
1: $6.36
6,725En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUP90P06-09L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP90P06-09L-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V

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$6.36

$3.84

$3.28

$2.63

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Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

60 V

90 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220

SUP80090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.04
1,950Se espera el 23/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUP80090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP80090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220

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1,950Se espera el 23/3/2026

$4.04

$2.66

$1.87

$1.53

$1.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET

IRFR9120PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: $2.50
2,992Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9120PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9120PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET

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2,992Se espera el 19/10/2026

$2.50

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

5.6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2323DDS-T1-GE3
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SOT-23-3

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1 Channel

20 V

5.3 A

39 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2333DDS-T1-GE3
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1 V

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+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A

SISH536DN-T1-GE3
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PowerPAK 1212-8

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30 V

67.4 A

3.25 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

16.6 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8821EDB-T2-E1
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SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

105 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1077X-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

SC-89-6

P-Channel

1 Channel

20 V

1.75 A

65 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

31.1 nC

- 55 C

+ 150 C

330 mW

Enhancement

TrenchFET

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TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W