TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Resultados: 168
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T 2,334En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 30 A 4.4 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 180 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S 2,421En existencias
9,000Se espera el 4/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 117 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220 384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 569En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 937En existencias
2,500Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220 848En existencias
2,000Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs SC70-6 1,305En existencias
6,000Se espera el 25/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs SC70-6 4,894En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 3,819En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 12 V 10.2 A 15 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 93 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 3,295En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 12 A 15 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 75 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET 384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET 8,940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 1.9 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.9 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET 8,749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 5,540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.1A 762En existencias
33,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 6En existencias
99,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A 112En existencias
39,000Se espera el 13/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.9 A 26.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 3.1 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 2,064En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 618En existencias
93,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 12 A 16.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 6,609En existencias
51,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 12 V 12 A 11 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 80 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 574En existencias
3,000Se espera el 18/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SC70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 15.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 2,627En existencias
21,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 2 Channel 20 V 6 A 20.1 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 28 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S 1,435En existencias
6,000Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 92 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 58En existencias
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 20 V 16 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel