TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Resultados: 168
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 10,073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56.7 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34.5 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET 8,741En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 8.8A 8,492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23 46,372En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 72,264En existencias
108,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 24,978En existencias
39,000Se espera el 11/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch 38,885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 12 V 12 A 11.6 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 87 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET 10,610En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 11,116En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.9 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 11,433En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 73 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 18,667En existencias
9,000Se espera el 8/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 11.7 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8 31,035En existencias
27,000Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 16 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 9,801En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 11.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 71 nC - 50 C + 150 C 52.1 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE 2,557En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6 18,562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 13,168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 265 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 29,675En existencias
6,000Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 36,909En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 48 mOhms, 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 23 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 8,709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 12 V 4.5 A 33 mOhms, 33 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V 2,491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 53 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 57A 300W 3,320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 57 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6 9,307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.75 A 65 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 31.1 nC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5A 4,157En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 29En existencias
54,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 10.8 A 132 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6 2,373En existencias
23,590En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 30 V 7.7 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel