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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220
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633En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 230 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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26,528En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 80 V 62 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
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6,275En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S N-Channel 1 Channel 30 V 478 A 570 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
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3,423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S P-Channel 1 Channel 60 V 36.2 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 21.8 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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43,385En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7 A 82.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.3 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
50,466En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 275 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
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Comentarios de Producto
12,348En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
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3,201En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 8.4 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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5,530En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.8 A 119 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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2,248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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5,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Powerpack-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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5,778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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3,362En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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1,822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
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3,966En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40.7 A 14.9 mOhms 10.6 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
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6,951En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 37.1 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 21.8 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
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11,571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66.8 A 7.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V
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5,867En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 940 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
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7,011En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK - SO-8S P-Channel 1 Channel 30 V 227 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 365 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V
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1,343En existencias
6,000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S P-Channel 1 Channel 40 V 198 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 392 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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10,423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 54 A 8.9 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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8,888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 34.4 A 14 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 27.2 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
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12,128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.5 V 46.7 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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12,562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 55.9 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape