Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPA60R060P7XKSA1
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IPA60R060P7XKSA1

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IPA60R099P7XKSA1
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IPA60R180P7SXKSA1
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IPA60R180P7SXKSA1

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Tube

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IPA60R180P7XKSA1
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1: $3.10
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IPA60R180P7XKSA1

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726-IPA60R180P7XKSA1

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IPA60R280P7XKSA1
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IPA60R280P7XKSA1

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726-IPA60R280P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
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IPA60R360P7SXKSA1

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IPA60R360P7XKSA1
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IPA60R360P7XKSA1

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IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA80R280P7XKSA1
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IPA80R280P7XKSA1

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- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA80R360P7XKSA1

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W