Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

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Infineon Technologies

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Enhancement

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IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.99
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DPAK-3 (TO-252-3)

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Enhancement

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IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

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IPN50R2K0CEATMA1
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IPA50R190CEXKSA2
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7.6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

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26.4 W

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Enhancement

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IPA50R380CE
Infineon Technologies
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IPA50R380CE

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IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
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IPA50R380CEXKSA2

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1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

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2.5 V

24.8 nC

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+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.27
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

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726-IPA50R950CEXKSA2

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550 V

6.6 A

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10.5 nC

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+ 150 C

25.7 W

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IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R2K0CEAUMA1

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726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.72
1,073En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,073En existencias

Cinta cortada

$0.72

$0.473

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$0.232

Envase tipo carrete

$0.182

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.81
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,000En pedido

$1.81

$0.862

$0.769

$0.606

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.39
27,180En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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27,180En pedido

Cinta cortada

$1.39

$0.838

$0.58

$0.452

Envase tipo carrete

$0.366

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: $2.61
500Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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500Se espera el 11/6/2026

$2.61

$1.68

$1.20

$1.00

$0.87

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.79
995Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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995Se espera el 11/6/2026

$2.79

$1.38

$1.22

$0.996

$0.87

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

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