Resultados: 62
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
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35,352En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 90 V 20 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK
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12,942En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.58 V 16 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
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827En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 89 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN0R9-25YLC/SOT669/LFPAK
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28,105En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 110 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
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24,792En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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10,653En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-30YLC/SOT669/LFPAK
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8,450En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 11.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 10.3 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 58A N-CH MOSFET
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8,442En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 58 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 75 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100BS/SOT404/D2PAK
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5,288En existencias
4,800Se espera el 2/11/2026
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 57 A 28.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
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11,799En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 54 V 31 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK
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12,783En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 29 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN034-100BS/SOT404/D2PAK
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3,769En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 32 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.8 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 30A
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9,617En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 37.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 21.6 nC - 55 C + 175 C 94.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A
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2,748En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89.8 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 300A
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16,917En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 109 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A
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7,169En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60.3 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-30YLC/SOT669/LFPAK
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3,494En existencias
4,500Se espera el 20/5/2026
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.25 mOhms - 20 V, 20 V 1.46 V 78 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
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7,744En existencias
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Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 87 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK
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5,481En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.54 V 39 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 95A
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11,701En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 95 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 19.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 120A N-CH MOSFET
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71En existencias
28,800Se espera el 19/2/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 196 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK
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7,698En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R6-100BS/SOT404/D2PAK
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3,145En existencias
1,600Se espera el 9/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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663En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 64 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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1,370En existencias
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Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel