Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET 4,990En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET 4,964En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 40 V 38 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET 4,490En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET 2,631En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 2 Channel 40 V 37 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET 2,011En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 2 Channel 60 V 29 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET 3,895En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET 4,676En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 60 V 25 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET 1,804En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel