Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15AFS,LF
Toshiba
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SSM3K15AFS,LF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba
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SSM3K15AMFV,L3F

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757-SSM3K15AMFVL3F

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U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AFS,LF
Toshiba
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SSM3K35AFS,LF

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757-SSM3K35AFSLF

Toshiba

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Enhancement

U-MOSIII

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SSM6J401TU,LF
Toshiba
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SSM6J401TU,LF

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16 nC

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500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6K403TU,LF
Toshiba
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U-MOSIII

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SSM6K405TU,LF
Toshiba
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- 10 V, 10 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

U-MOSIII

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SSM6L39TU,LF
Toshiba
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SSM6L39TU,LF

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500 mW

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U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6N40TU,LF
Toshiba
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SSM6N40TU,LF

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757-SSM6N40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package

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1 Channel

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1.6 A

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U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6P39TU,LF
Toshiba
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SSM6P39TU,LF

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757-SSM6P39TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package

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1.5 A

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1 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
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109,990Se espera el 10/7/2026

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SSM3K35CTC,L3F

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757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

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SSM6L12TU,LF
Toshiba
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SSM6L12TU,LF

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757-SSM6L12TULF

Toshiba

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UF-6

N-Channel, P-Channel

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500 mA

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AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K15AFU,LF
Toshiba
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20,801Se espera el 12/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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$0.043

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K37FS,LF
Toshiba
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34,510Se espera el 28/8/2026

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SSM3K37FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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$0.039

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2-in-1

SSM6L36FE,LM
Toshiba
1: $0.37
24,000Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L36FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2-in-1

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$0.37

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$0.066

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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

330 mA, 500 mA

460 mOhms, 950 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

1.23 nC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V

SSM6N39TU,LF
Toshiba
1: $0.65
3,000Se espera el 3/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N39TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N39TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V

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$0.65

$0.402

$0.257

$0.194

Envase tipo carrete

$0.148

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UF-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.6 A

87 mOhms, 87 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

7.5 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V

SSM6K204FE,LF
Toshiba
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SSM6K204FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K204FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V

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$0.65

$0.402

$0.258

$0.196

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: 4,000

SMD/SMT

ES-6

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

126 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package

SSM6K208FE,LF
Toshiba
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SSM6K208FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K208FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package

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$0.62

$0.381

$0.244

$0.185

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Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.9 A

133 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm

SSM6N48FU,LF
Toshiba
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SSM6N48FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N48FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm

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$0.40

$0.244

$0.153

$0.114

Envase tipo carrete

$0.084

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape

U-MOSIII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 uOhms
28 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
73 mOhms
87 mOhms, 87 mOhms
93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms