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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2,593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3,859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube