Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench 9 Superjunction MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging design to deliver high performance and ruggedness. Trench 9 MOSFETs are all qualified to AEC-Q101, and exceed the requirements of this international automotive standard by as much as two times on key reliability tests, including Temperature Cycling (TC), High-Temperature Gate Bias (HTGB), High-Temperature Reverse Bias (HTRB), and Intermittent Operating Life (IOL).

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

BUK7J1R4-40HX
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BUK7J1R4-40HX

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771-BUK7J1R4-40HX

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SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

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120 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R0-40HX
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1 Channel

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120 A

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2.4 V

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+ 175 C

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Enhancement

Trench 9

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BUK7Y3R5-40HX
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SOT-669-5

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1 Channel

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120 A

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Enhancement

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BUK7Y1R4-40HX
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190 A

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Enhancement

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BUK7Y1R7-40HX
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1 Channel

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Trench 9

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BUK9Y1R3-40HX
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$1.27

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190 A

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395 W

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BUK9Y2R8-40HX
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Mult.: 1,500

: 1,500

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N-Channel

1 Channel

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120 A

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172 W

Enhancement

Reel

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BUK7Y7R0-40HX
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64 W

Enhancement

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BUK9K13-40HX
Nexperia
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LFPAK-56D-8

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2 Channel

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42 A

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Enhancement

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BUK7J1R0-40HX
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SMD/SMT

LFPAK-56E-4

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1 Channel

40 V

220 A

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- 20 V, 20 V

2.4 V

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- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R5-40HX
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SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.5 mOhms

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2.4 V

79 nC

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+ 175 C

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Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R0-40HX
Nexperia
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BUK7Y3R0-40HX

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771-BUK7Y3R0-40HX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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$0.767

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Envase tipo carrete

$0.485

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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

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Trench 9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

BUK9Y6R5-40HX
Nexperia
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BUK9Y6R5-40HX

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771-BUK9Y6R5-40HX

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$0.304

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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

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BUK9J0R9-40HX
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BUK9J0R9-40HX

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SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

940 uOhms

- 16 V, 16 V

1.35 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R6-40HX
Nexperia
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BUK9Y1R6-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R6-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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$0.782

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Mult.: 1,500

: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R9-40HX
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BUK9Y1R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R9-40HX

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$0.648

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Mult.: 1,500

: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R4-40HX
Nexperia
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BUK9Y2R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y2R4-40HX

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$0.693

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Mult.: 1,500

: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Trench 9 Superjunction MOSFETs

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