Resultados: 100
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 944En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.2 A 2.22 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,675En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 6.7 nC - 40 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP 221En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 498En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 2.22 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP 452En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,745En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 2.34 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP 355En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP 372En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP 358En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,928En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 49 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP 350En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP 587En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 339En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 720 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 40 C + 150 C 26.4 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,550En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 720 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 40 C + 150 C 26.4 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 5,040En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3.1 A 3.28 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.2 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 13A TO220-3 147En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE 842En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 942En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.1 A 1.17 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 18.7 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP 2En existencias
500Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 63En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 890 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 71En existencias
500Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 940 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.22 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 23 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 6.7 nC - 40 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 78En existencias
2,500Se espera el 13/8/2026
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.9 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 82 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 801En existencias
2,500Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 118 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel