Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 200W w/Sensing Diode

SUM60N04-05T-E3
Vishay / Siliconix
800: $2.28
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60N04-05T-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM60N04-05T-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 200W w/Sensing Diode

No en existencias

Envase tipo carrete

$2.28

$2.15

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 200W w/Sensing Diode

SUM60N04-06T-E3
Vishay / Siliconix
800: $2.03
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60N04-06T-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM60N04-06T-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 200W w/Sensing Diode

No en existencias

Envase tipo carrete

$2.03

$1.92

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-5

TrenchFET

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.8 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.83 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
8.1 mOhms
8.6 mOhms
9.5 mOhms
10.1 mOhms
11.2 mOhms
12.4 mOhms
12.9 mOhms
16.5 mOhms
19 mOhms
30 mOhms