Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 48En existencias
25,000Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V( 862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 1,643En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 31 mOhms, 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 1,513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA2
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 87En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
3,729En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
7,499Se espera el 9/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
485En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

Si SMD/SMT DirectFET-L8 N-Channel 1 Channel 100 V 114 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 210 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA2
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube