Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 1,133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2 18,151En existencias
2,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 5,402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 68 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 9,270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 98 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T 2,109En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T 1,235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T 2,788En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3,590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V( 3,841En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2,404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,906En existencias
10,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,500En existencias
6,000Se espera el 24/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 2,879En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 7,714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 20,421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 29 mOhms, 29 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T 3,313En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS 1,279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 22 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 1,156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 17.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 57 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V 2,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2 1,581En existencias
7,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T 749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T 248En existencias
2,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 2,917En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 16 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 7 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 48En existencias
25,000Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel