MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs are designed to deliver impressive performance and efficiency and are available in the compact TO-247 package. The MCW075N60FH, MCW099N60SH, and MCW105N60FH MOSFETs feature typical low on-resistance values from 65mΩ to 95mΩ, making them ideal for a wide range of applications. These MOSFETs are available with or without an integrated Fast Recovery Diode (FRED), which improves recovery and switching times. The MCWx MOSFETs are equipped with superjunction technology for high-voltage applications. These MOSFETs ensure low conduction losses and minimize power dissipation. The MCWx power MOSFETs are used in power supplies, motor drives, renewable energy, consumer electronics, and industrial applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-247
Hoja de datos
360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 312.5 W Enhancement Bulk

Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-247
Hoja de datos
303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.5 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 56.5 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Bulk

Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-247
Hoja de datos
355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.6 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 57 nC - 55 C + 155 C 240 W Enhancement Bulk