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NVMFWS0D45N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS0D45N04XMT1G
Price: 4.64 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-MFWS0D45N04XMT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS0D45N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NVMFWS0D45N04XMT1G Hoja de datos (PDF)

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	$4.64	$4.64
	$3.07	$30.70
	$2.40	$240.00
	$2.13	$1,065.00
	$1.83	$1,830.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.72	$2,580.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	469 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	450 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	115 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	180 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	278 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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NVMFWS0D45N04XMT1G Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS0D45N04XM MOSFET

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET is a single, N-channel, STD gate MOSFET in a SO8FL package. The device features 40V drain-to-source voltage, 469A continuous drain current, and is AECQ101 qualified. The onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET minimizes driver and conduction losses with low capacitance and R_DS(on). The NVMFWS0D45N04XM is available in a small footprint of 5mm x 6mm and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification.