SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$1.90 $1.90
$1.25 $12.50
$0.921 $92.10
$0.755 $377.50
$0.661 $661.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.545 $1,635.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR3x3-4
N-Channel
2 Channel
30 V
75 A, 141 A
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
1 V, 1.1 V
22 nC, 62 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 7 ns, 12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 60 S, 90 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 40 ns, 53 ns
Serie: SIZ
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns, 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns, 25 ns
Peso de la unidad: 143.050 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency. 

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