QPD0011EVB1 Evaluation Board
Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.
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