JFET de baja Ciss 50 V de canal N IFN160

Los JFET de baja Ciss de 50 V de canal N IFN160 de InterFET  cuentan con bajo nivel de fuga de puertas, bajo voltaje de corte y baja capacitancia de entrada (Ciss). Estos transistores de efecto de campo de unión (JFET) ofrecen alta tolerancia a la radiación, pruebas personalizadas y opciones de agrupamiento. Los JFET IFN160 están disponibles en opciones de paquete SMT y matriz básica. Estos JFET incluyen modelado SPICE de extremo de parámetro operativo (SPICE es el estándar de facto para simular el rendimiento del circuito). Los JFET IFN160 han sido diseñados para aplicaciones de bajo nivel de ruido sensibles a los costos, y son ideales para diseños de micrófonos de audio y preamplificadores. Estos JFET cumplen con las normas RoHS, REACH y CMR. Las aplicaciones típicas incluyen mezcladores de señal, interruptores de alta impedancia, amplificadores para auriculares, filtros de audio, controladores de altavoces preamplificadores, equipos de ultrasonido, sistemas de radar y comunicación, y detección de radiaciones.