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SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 8.08 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIJK140E-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIJK140E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos:

SIJK140E-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 10x12
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	795 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	470 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	312 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	536 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	45 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	SiJK140E
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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