Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SIHP180N60E-GE3
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Vishay
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SIHB065N60E-T1-GE3

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Vishay Semiconductors
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SIHH180N60E-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

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Vishay / Siliconix
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Bulk

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Vishay Semiconductors
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Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

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+ 150 C

89 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

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- 30 V, 30 V

3 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD1K4N60E-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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600 V

4.2 A

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Enhancement

4th Gen E Series MOSFETs

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74 nC
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29 W
31 W
33 W
35 W
39 W
48 W
62.5 W
63 W
78 W
89 W
114 W
156 W
167 W
179 W
192 W
202 W
208 W
227 W
250 W
375 W