Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

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Resultados: 23

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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SSM3J35CT,L3F
Toshiba
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SSM3J35CT,L3F

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757-SSM3J35CTL3F

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1 Channel

20 V

100 mA

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Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

SSM6L09FUTE85LF
Toshiba
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$0.294

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4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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2SK2009TE85LF
Toshiba
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Toshiba

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SSM3J15FU,LF
Toshiba
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SSM3J15FU,LF

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SSM3K15F,LF
Toshiba
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SSM3K15F,LF

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SSM3K16FV,L3F
Toshiba
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SSM3K16FV,L3F

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SSM3K44FS,LF
Toshiba
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SSM3K44FS,LF

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SSM5N15FU,LF
Toshiba
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SSM5N15FU,LF

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SOT-353-5

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30 V

100 mA

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

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MOSVI

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SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba
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MOSVI

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SSM3J15FV,L3F
Toshiba
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SSM3J15FV,L3F

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SSM3K16CT,L3F
Toshiba
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SSM3K16CT,L3F

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757-SSM3K16CTL3F

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SSM3K16FS,LF
Toshiba
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SSM3K16FS,LF

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SSM3K16FU,LF
Toshiba
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SSM3K16FU,LF

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SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

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100 mA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba
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SOT-553-5

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MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

SSM5P15FU,LF
Toshiba
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SSM5P15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5P15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

+ 150 C

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MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM6N44FE,LM
Toshiba
1: $0.38
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SSM6N44FE,LM

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757-SSM6N44FELM

Toshiba

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

MOSVI

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SSM3K09FU,LF
Toshiba
1: $0.43
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SSM3K09FU,LF

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757-SSM3K09FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

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SOT-323

N-Channel

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30 V

400 mA

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+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
1: $0.45
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SSM6L35FU(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

100 mA, 180 mA

11 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

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AEC-Q101

MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6N35FE,LM
Toshiba
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SSM6N35FE,LM

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757-SSM6N35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

180 mA

20 Ohms, 20 Ohms

- 10 V, 10 V

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MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6L35FE,LM
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FE,LM

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757-SSM6L35FELM

Toshiba

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ES6-6

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20 V

100 mA, 180 mA

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400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

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AEC-Q101

MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6N43FU,LF
Toshiba
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5,973Se espera el 14/9/2026

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SSM6N43FU,LF

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757-SSM6N43FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

460 mOhms, 460 mOhms

- 20 V, 20 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM5N16FU,LF
Toshiba
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SSM5N16FU,LF

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757-SSM5N16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

SSM6P35FE,LM
Toshiba
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SSM6P35FE,LM

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757-SSM6P35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

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SMD/SMT

ES6-6

MOSVI

Reel, Cut Tape

π-MOS VI MOSFETs

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