DMTH6010LK3Q-13

Diodes Incorporated
621-DMTH6010LK3Q-13
DMTH6010LK3Q-13

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,484

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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.14 $2.14
$1.36 $13.60
$0.902 $90.20
$0.74 $370.00
$0.655 $655.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.587 $1,467.50
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
70 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
41.3 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 9.7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4.3 ns
Serie: DMTH6010
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.7 ns
Peso de la unidad: 340 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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Diodes Inc. DMTH6010LK3Q N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to meet the firm requirements of automotive applications. This MOSFET is 100% UIS (Unclamped Inductive Switching) tested in production which ensures reliable and robust end application. The DMTH6010LK3Q MOSFET is suitable for high ambient temperature environments and rated to 175°C. This MOSFET is ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters. DMTH6010LK3Q MOSFET is PPAP (Production Part Approval Process) capable and is qualified to AEC-Q101 standard.