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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
Hoja de datos
110En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk