IXSH80N120L2KHV

IXYS
747-IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 392

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$12.45 $12.45
$10.14 $101.40
$8.45 $1,014.00
$7.52 $3,835.20
$7.03 $7,170.60

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 24.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 28.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12.8 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH80N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH80N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.