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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
onsemi Módulos MOSFET 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray


onsemi Módulos MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray