Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
: 750
SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W