Tipos de Semiconductores discretos
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
1,425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1,290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
1,795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
480Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4